双层范德华异质结光电探测器

快速响应高探测率

石墨烯消除肖特基势垒，加速载流子提取，同时PdSe₂与HfS₂形成Ⅱ型异质结促进电荷分离。

贺训军 · Xiangrong, Li · Yongzhi, Zhang · Lu, Guangjun · 耿照新 · Hongbin, Yang · Qu, Yuqiu

Optics and Laser Technology 2026

具体参数

上升/下降时间

{'zh': '2.6/6.3', 'en': '2.6/6.3'} μs

探测率

{'zh': '2.2 × 10¹²', 'en': '2.2 × 10¹²'} Jones

响应度

{'zh': '1200', 'en': '1200'} mA/W

技术优势

响应更快

石墨烯层消除了金属/半导体界面的肖特基势垒，使得载流子能够被迅速提取，从而将上升/下降时间缩短至2.6/6.3 μs。

探测率高

PdSe₂/HfS₂形成的Ⅱ型范德华异质结促进了高效的载流子分离，同时HfS₂的低暗电流特性共同将探测率提升至2.2×10¹² Jones。

能高速通信

该器件实现了低误码率的高速数据传输，并支持锐利边缘成像，可直接用于光通信和成像系统。

应用场景

• 光电探测：快速响应与高探测率兼顾，适合作为高性能光电探测器的核心器件。
• 高速光通信：实现低误码率的高速数据传输，可直接用于光通信链路。
• 高速互联：微秒级响应速度满足高速互联对光电器件快速转换信号的需求。
• 光学成像：支持锐利边缘成像，可用于高清晰度光学成像系统。