偏压下响应提速百倍
合适的肖特基势垒高度使该结构在偏压下不仅提升了灵敏度，更将响应速度提高两个数量级，显著改善位置敏感探测器的动态性能。
Xiang, Ling · 朱鹏飞 · 祝昆 · Pei, Song · Xiong, Li
Optoelectronics Letters 2024
加 −7 V 偏压后，瞬态响应时间从 450 µs 缩短至 6 µs，响应速度提升约75倍。
Ni 与 SiO₂/Si 之间形成合适的肖特基势垒，使偏压能够有效调节载流子输运，从而提升 LPE 灵敏度与响应速度。
偏压不仅加快了响应速度，还显著提升了 LPE 灵敏度。