Mg₃(VO₄)₂微波介质陶瓷

高Q值低温烧结

在1050 °C低温烧结即可获得高致密度和优异的微波介电性能，其中低损耗主要由外部振动模式贡献，为设计高性能低温共烧陶瓷提供了新途径。

An, Zhongfen · Yu, Wenhao · Juan, Zhang · 张灵翠 · Jinbo, Zhao · Jian, Wei · Xiaoning, Wang · Ripeng, Xu · Peixin, Hou · Jia, Zhao · 石锋

Journal of Alloys and Compounds 2023

参数信息

介电常数

9.59

品质因数

41193 GHz

Mode 1对介电损耗贡献系数

51.40 %

技术优势

低温就能烧结

在1050 °C即可获得最高体积密度的致密陶瓷，比典型微波介质陶瓷的烧结温度低数百度，有利于与低熔点电极共烧。

Q值够高

Q × f 达到 41,193 GHz（f = 13.69 GHz），适用于对损耗敏感的微波器件，低频段性能优异。

损耗来源已锁定

通过四参数半量子模型拟合，外部振动模式中的 Mode 1 对介电损耗的贡献系数高达 51.40%，为后续通过结构调控降低损耗指明方向。

应用场景

• 微波介质陶瓷：作为低损耗介质材料用于微波频段器件，替代高损耗材料。
• 5G/6G通信器件：低介电常数与高Q值有利于高速信号传输，减少信号延迟与损耗。
• 低温共烧陶瓷基板：1050 °C低温烧结可匹配银等低熔点电极，适合多层共烧集成。
• 微波谐振器：高Q值保证谐振器的高频率选择性与低插入损耗。