重构CdS缓冲层

低电压损耗

通过表面微结构重构，刻蚀去除低质CdS颗粒并诱导再结晶与硫空位补偿，改善异质结界面质量，使锌黄锡矿太阳能电池实现高效与低开压损耗。

Jingchen, Wang · Chen, Shudan · Xu, Xiao · 王劲林 · Menghan, Jiao · Zhang, Bowen · Guo, Tan · Yuan-Yuan, Li · 李冬梅 · 石将建 · Wu, Huijue · 罗艳红 · 孟庆波

Advanced Materials 2026

具体参数

冠军效率

{'zh': '15.3', 'en': '15.3'} %

开路电压

{'zh': '560', 'en': '560'} mV

技术优势

腐蚀低质颗粒

Na2S/硫脲水溶液选择性地腐蚀掉CdS膜中的低质量颗粒，留下致密、结晶良好的薄膜。

促进界面再结晶

抛光同时诱导CdS表面再结晶并补偿硫空位，提高结晶质量，减少缺陷态。

抑制界面复合

由于界面电荷复合受到抑制、电荷传输加速，器件开路电压和填充因子得到提升，最终实现15.3%的效率。

应用场景

• 薄膜太阳能电池：采用重构CdS缓冲层，提升锌黄锡矿电池效率与开压，推动低成本薄膜光伏实用化。
• 光伏缓冲层：化学抛光替代传统CBD工艺调控，获得高质量CdS缓冲层，可直接用于各类光伏器件。
• 界面工程：通过抛光重构CZTSSe/CdS界面，抑制复合、加速输运，从根本上改善异质结性能。
• 太阳能电池性能表征：提供15.3%效率与低VOC亏损的实测数据，验证界面优化对器件性能的提升效果。