PP/SEBS半导电屏蔽料

匹配PP电缆绝缘层

以PP/SEBS为基体、通过MAH-g-PP增容的半导电复合材料，为PP电缆提供匹配的半导电屏蔽层方案。

Li, Xuejing · Tianzhen, Liu · Xiaolong, Chen · 魏艳慧 · 何金良 · 李国倡

Composites Science and Technology 2024

参数信息

表面粗糙度

13.98 nm

空间电荷

2.25 × 10⁻⁸ C

表面粗糙度降低率

29.47 %

空间电荷降低率

62.22 %

Flory-Huggins作用参数(MAH-g-PP/PP)

-73.3

Flory-Huggins作用参数(MAH-g-PP/SEBS)

-45.2

Flory-Huggins作用参数(MAH-g-PP/CB)

8.20

Flory-Huggins作用参数降低率(MAH-g-PP/PP vs PP/SEBS)

236.24 %

技术优势

界面电荷低

25 phr炭黑下半导电层空间电荷仅为2.25×10⁻⁸ C，加入MAH-g-PP后进一步降低62.22%，可减少电缆绝缘中的电场畸变。

表面更平整

炭黑和增容剂共同优化后，半导电层表面粗糙度最低达13.98 nm，有利于均匀电场分布。

提升相容性

MAH-g-PP与PP、SEBS的Flory-Huggins作用参数均为负值，与炭黑的作用参数也低于PP/炭黑和SEBS/炭黑，表明其显著改善基体与填料的相容性。

应用场景

• 电力电缆：为PP绝缘电缆提供半导电屏蔽层，降低空间电荷注入。
• 电缆绝缘：匹配PP绝缘层，优化界面电场分布。
• 半导电屏蔽材料：作为PP电缆专用屏蔽料，改善表面平整度。
• 复合材料：通过MAH-g-PP增容PP/SEBS与炭黑，提升相容性。