200 °C 高能效
通过星形拓扑引入深陷阱并稳定电极界面，在200 °C下仍保持高储能密度和效率，远超纯聚酰亚胺。
Manqing, Zhao · Wang, Yan · Bin, Xie · Tengbin, Yi · 白秋红 · 赵航 · Wang, Yang · Zhang, Luwei · Zhi-Min, Dang · 申烨华
Chemical Engineering Journal 2026
星形拓扑结构引入深能级陷阱，捕获载流子，从而大幅降低高温下的传导损耗。
星形结构稳定了 Ag/介质界面，减少电荷注入，有助于提高击穿强度和循环稳定性。
在 200 °C 下仍能保持 3.29 J cm⁻³ 的储能密度和 78.41% 的充放电效率，远超纯 PI 的表现。
通过自动筛选工作流确定三聚氰胺为最佳拓扑中心，并实现拓扑比例可控（0–2.5%），且三聚氰胺廉价易得，便于规模化制备。