ZnO/TexSe1-x异质结光电二极管

宽带响应·暗电流极低

通过非晶TeO2界面层协同抑制元素扩散与悬挂键，实现室温高性能短波红外探测与大规模单片集成。

Peng, Meng · 何玉明 · Liu, Zunyu · Chen, Xinyi · 刘志强 · Junrui, Yang · Liu, Weijie · 吴锋 · 李露颖 · 戴江南 · 陈长清 · 何俊刚 · 陈超 · 唐江

Nano Letters 2024

参数信息

暗电流密度
-3.5 × 10^-5 A cm^-2
探测率
2.03 × 10^11 Jones
3 dB带宽
173 kHz
响应范围
300-1700 nm

技术优势

暗电流降4个量级

0.3 nm非晶TeO2界面层同时抑制了ZnO与TexSe1-x之间的元素扩散和悬挂键，从而大幅降低器件暗电流。

室温探测率超2×10¹¹

无需制冷，室温下即可实现超过2.03 × 10¹¹ Jones的探测率，满足高性能红外探测需求。

首次64×64单片集成

在ROIC上实现了TexSe1-x光电二极管阵列的单片集成，规模达64×64像素，为迄今最大。

应用场景