薄势垒无凹槽GaN肖特基二极管

低导通高压高频整流

专为高频整流设计的无凹槽薄势垒GaN肖特基二极管，凭借精确大信号模型实现低导通电压与高压承受能力，使整流器在紧凑尺寸下获得高效率。

Li, Shun · 徐欣 · 康玄武 · Lan, Jianyu · 乐贞 · Zhao, Rikang · Wu, Hao · 刘新宇 · 林先其

IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 2024

参数信息

导通电压

0.5 V

导通电阻

6.2 Ω

结电容

0.28 pF

击穿电压

66 V

5.8 GHz整流器峰值效率

78.9 %

10 GHz整流器峰值效率

76.6 %

单管最大承受功率

36 dBm

技术优势

导通电压仅0.5 V

低导通阈值提升整流器在低功率输入下的效率。

击穿电压66 V

高击穿电压使单个二极管能够承受36 dBm的输入功率，无需功率合成。

结电容仅0.28 pF

低结电容使二极管能在10 GHz高频下高效工作。

精确大信号模型

通过I-V、C-V和S参数提取精确大信号模型，加速整流器设计，避免迭代试错。

应用场景

• 微波功率传输：高效率整流器直接提升微波功率传输系统的端到端效率。
• 无线能量收集：低导通电压使微弱射频能量也能被有效整流收集。
• 太阳能空间电站：高功率承受能力和高效率适合空间电站的大功率微波传输链路。
• 5G毫米波能量采集：10 GHz下的高效率整流展示出5G毫米波频段能量采集潜力。