纳米相增强银烧结接头

低热阻高剪切

通过InSn合金与银粉的瞬态液相烧结，在200°C低温与5MPa低压下形成兼具弥散强化纳米颗粒和连续界面金属间化合物层的银接头，实现高剪切强度与低热阻的协同。

Yiming, Xu · Jiaying, Zhang · Xuanjue, Hu · Yiding, Yu · Wenhao, Gao · Jinhua, Qin · Yunzhu, Ma · 77050812 · 唐思危 · Lin, Zhongkun · He, Wang

Intermetallics 2026

参数信息

剪切强度

25.8 MPa

有效热阻

2.39 mm² K/W

孔隙率

1.96 %

Ag3(In,Sn)纳米颗粒尺寸

205 nm

技术优势

孔隙率大幅降低

加入20 wt% InSn后，烧结致密化显著改善，孔隙率降至1.96%，从而降低有效热阻。

双重强化机制

接头内弥散分布的Ag3(In,Sn)纳米颗粒提供弥散强化，界面处致密连续的Cu6(In,Sn)5金属间化合物层实现强冶金结合，共同提升剪切强度。

低温低压可加工

复合焊膏可在200 °C、5 MPa下完成烧结，无需高温高压设备，适合功率半导体封装。

应用场景

• 功率半导体封装：用于大功率芯片互连，在低温低压下获得高剪切强度。
• 电子互连材料：作为银基连接材料，通过InSn添加实现致密化与界面强化。
• 低温烧结：在200°C下完成烧结，适用于温度敏感器件。
• 热管理：低有效热阻有助于快速散热。