CsPbCl₃双层发光层

半峰宽仅9.7 nm

通过退火/未退火双层堆叠策略，大幅提升紫光LED的发光强度与稳定性，同时保持高色纯度。

Zhang, Weifang · Wang, ShenWei · 衣立新

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

参数信息

半峰宽

9.7 nm

稳定性（亮度衰减至48%所需时间）

9 min

下层厚度

150 nm

上层厚度

120 nm

技术优势

色纯度高

半峰宽仅9.7 nm，适合宽色域显示。

稳定性更好

器件在亮度衰减至初始值的48%前可持续9分钟，优于单层器件。

发光更强

双层膜的发光强度相比单层器件显著提高。

抑制离子迁移

退火层外延生长增大晶粒、减少晶界，从而抑制离子迁移。

应用场景

• 紫光/蓝光LED：提供高色纯度紫光/蓝光发射层，提升显示色域。
• 钙钛矿发光器件：双层策略为钙钛矿LED提供提升稳定性与亮度的新结构。
• 宽色域显示：9.7 nm半峰宽满足宽色域显示对色纯度的要求。