SFe₃(CO)₉-双吡啶铜聚合物

低带隙半导体

通过机械化学法合成的无机-有机杂化配位聚合物，利用氧化还原活性簇与双吡啶配体调控能带结构与导电性，填补了含硫铁羰基簇聚合物的空白。

Shieh, Minghuey · Chen, Huilung

Dalton Transactions 2024

参数信息

带隙

1.55-1.79 eV

电导率

3.26 × 10-8-1.48 × 10-6 S cm-1

技术优势

无需复杂合成

机械化学三组分反应，室温下简单研磨即可获得目标聚合物，相比多步溶液合成显著简化。

带隙可调

通过选择不同双吡啶配体或改变簇配位模式，带隙在 1.55–1.79 eV 范围内可调，以适应不同器件需求。

结构可逆转变

研磨加入化学计量比的配体或铜盐即可切换簇配位模式，实现聚合物结构的可逆转变。

应用场景

• 半导体配位聚合物：作为低带隙半导体活性层，用于构建有机电子器件。
• 柔性电子器件：利用聚合物可加工性制备柔性薄膜，用于可穿戴传感器。
• 电化学传感：利用氧化还原活性与半导体特性，构筑电化学传感界面。
• 机械化学合成：通过研磨实现快速、批量合成，降低能耗与溶剂使用。