Bi掺杂ZnO电子注入层

效率22.3%

用铋掺杂ZnO做钙钛矿LED的电子注入层，既降低界面损耗又让钙钛矿结晶更平整，器件效率和寿命同时提升。

杨晓宇 · 纪永强 · Li, Qiuyang · Zhong, Qixuan · Hong, Li · Zhangyuchang, Lu · Hao-Hsin, Chen · Wang, Yanju · Hu, An · Li, Shunde · Li, Ma · Li, Le · 张玉琢 · Yu, Chen · 赵丽宸 · Jiang, Wu · 王新强 · Changjun, Lu · 朱瑞

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

外量子效率

{'zh': '22.3', 'en': '22.3'} %

近红外辐射亮度

{'zh': '684', 'en': '684'} W sr−1 m−2

运行稳定性提升

{'zh': '10', 'en': '10'} ×

技术优势

减少传输损耗

ZnBiO具有增强的导电性、钝化的陷阱态和合适的能带排列，为FAPbI3提供了平滑的注入路径。

促进钙钛矿平整结晶

通过抑制ZnBiO的羟基端基，FAPbI3晶体生长为具有更高结晶度和面积厚度比的平坦纳米柱域。

大幅延长运行稳定性

器件运行稳定性延长了近一个数量级，表明ZnBiO有潜力应用于各种LED场景。

应用场景

• 钙钛矿LED：用ZnBiO替代ZnO/ZnMgO电子注入层，可同时提高近红外PeLEDs的效率和寿命。
• 量子点LED：ZnBiO层的平整界面和低缺陷密度同样适合量子点LED中的电子注入。
• 近红外光源：高辐射亮度684 W sr-1 m-2使其可直接用于近红外光源应用。
• 显示与照明：高效率和高稳定性为显示与照明中的PeLEDs提供了更优的电子注入方案。