WS₂/InSe范德华异质结构

自供电 · 宽带探测

利用本征强内建电场，在零偏压下实现紫外至近红外的高速、高灵敏光电探测。

Jinping, Chen · Zhang, Zhen · Ma, Yi · Feng, Jiying · Xie, Xiaoyu · Xiaoxuan, Wang · 菅傲群 · 李远征 · Li, Zhuxin · Guo, Heng · Zhu, Yizhi · 崔乾楠 · 石增良 · 徐春祥 · Wang, Xiaoxuan

Nano Research 2023

参数信息

开路电压

0.47 V

短路电流

11.7 nA

上升/下降时间

63/76 µs

光开关比

10⁵

响应度

61 mA/W

探测率

2.5×10¹¹ Jones

光谱响应范围

325–980 nm

技术优势

自供电运行

WS₂/InSe n–n异质结强内建电场有效分离光生载流子，无需外加偏压即可产生显著光电流。

宽带探测

器件在325–980 nm范围内均有响应，覆盖紫外到近红外，源于两种材料的互补带隙。

快速响应

上升/下降时间仅63/76 μs，适合高速光探测应用。

应用场景

• 柔性光传感器：自供电宽带探测，适合集成到柔性基底，无需电源布线。
• 可穿戴光电器件：零偏压工作且响应快，可贴附在衣物上监测紫外/近红外光。
• 低功耗光电探测：强内建电场驱动，零功耗实现高探测率和宽带响应。