共晶高熵合金相界面

界面行为可调控

同/异质相界面呈现发散行为，可为多相高熵合金的界面设计与调控提供新思路。

Dai, Qianning · Xie, Bijun · Ren, Shaofei · Yu, Zhenxiang · 徐斌 · 孙明月

Science China Materials 2023

参数信息

钉扎极限晶粒半径

1.8 µm

技术优势

三类界面行为不同

L1₂–L1₂ 边界发生动态再结晶，B2–B2 边界仅靠界面扩散连接，L1₂–B2 边界只在 L1₂ 侧出现再结晶晶粒，这种发散行为源于相的结构差异。

能算出钉扎晶粒尺寸

通过 Zener 钉扎公式定量评估了 B2II 析出相对晶界的钉扎作用，极限晶粒半径 R_L 为 1.8 µm。

应用场景

• 高熵合金：通过界面设计调控再结晶与扩散，优化多相高熵合金的连接工艺。
• 金属基复合材料：利用 B2II 析出相钉扎晶界，抑制晶粒长大，增强界面稳定性。
• 结构材料设计：相界面行为可调，为多相合金的界面强化和热稳定性设计提供依据。
• 多相催化材料：通过控制界面析出和成分偏聚，调整活性位点分布。
• 纳米结构界面：界面扩散和再结晶行为可用于构筑纳米尺度界面结构。