MOCVD ZnGa2O4薄膜

宽带隙高击穿电压

该ZnGa2O4薄膜在10–873 K超宽温度范围内呈现非经典光学演化行为，为宽带隙光电器件提供缺陷工程参考。

Liu, Jiamin · Zhe Chuan, Feng · 刘瑶 · Manika Tun, Nafisa · Qingxuan, Li · 张传维 · Horng, Ray Hua · Wuu, Dongsing · Jeffrey, Yiin · Wan, Liangyu · Hao-Hsiung, Lin · Klein, Benjamin D.B. · Ferguson, Ian T. · 刘世元

Results in Engineering 2026

参数信息

禁带宽度

~4.80 eV

技术优势

调控手段明确

Zn流量变化会改变氧相关缺陷态的能级，进而影响价带顶和带偏移，为能带工程提供了具体途径。

应用场景

• 深紫外光电探测器：宽带隙和受控缺陷态可优化深紫外响应灵敏度和暗电流。
• 自旋电子器件：氧空位缺陷态可能诱导室温铁磁性，为自旋注入提供材料基础。
• 高功率半导体器件：高击穿电压和宽带隙支持高功率下稳定工作。
• 气体传感器：表面氧空位可增强气体吸附和电子转移，提升传感灵敏度。