TiOx/AlOy动态忆阻器

时间常数可调

一种基于CMOS兼容氧化物薄膜的忆阻器，可通过调控读取偏压改变其时间常数，从而适应不同时间特征的任务。

Tang, Wei · Li, Zhiyuan · 缪向水 · 杨蕊

ACS Nano 2025

参数信息

预测时间尺度

10

识别准确率

93.9 %

技术优势

时间常数可调

通过控制读取偏压即可调节时间常数，无需改变器件结构或材料，使系统能适应不同时间特征的任务。

同质集成

储备池节点和读出层均基于CMOS兼容氧化物薄膜，消除了异质材料集成的障碍。

性能大幅提升

在动态手势识别任务中，通过控制时间常数将识别准确率从82.0%提高到93.9%。

应用场景

• 储备池计算：用作同质储备池计算系统的核心动态节点，替代传统固定时间常数的储备池。
• 神经形态计算：提供CMOS兼容的氧化物忆阻器，易于与传统电路集成构建神经形态硬件。
• 时间序列处理：通过调节时间常数适应不同时间尺度的序列，提升复杂时序数据处理能力。