超低带隙n型有机半导体

超越硅探测极限

喹啉类n型小分子通过降低能量无序与陷阱密度抑制热生载流子，使无滤光自供电器件在硅带隙以下实现灵敏探测。

Yang, Mingqun · Yin, Bingyan · Gangjian, Hu · Cao, Yunhao · Lu, Shuo · Yihui, Chen · Yiyu, He · Xiye, Yang · Bo, Huang · Junyu, Li · Baoqi, Wu · Pang, Shuting · 沈亮 · Yong, Liang · 吴宏滨 · Linfeng, Lan · Gang, Yu · 黄飞 · Yong, Cao · 段春晖

Chem 2024

参数信息

吸收起始波长
1243 nm
外量子效率
18.9 %
比探测率
3.81e12 Jones
比探测率
1e12 Jones

技术优势

超越硅探测极限

在硅探测器无法响应的1,100 nm处实现零偏压探测，比探测率达3.81×10^12 Jones，可直接替代或补充硅基探测器。

自供电运行

无需外加偏压即可工作，简化系统设计，降低功耗和成本。

宽谱段高探测率

在400–1,200 nm宽谱段内探测率均超过10^12 Jones，无需滤光片即可实现宽带灵敏探测。

应用场景