埃厚极限二维金属

Zhao, Jiaojiao; Li, Lu; Li, Peixuan; Dai, Liyan; Dong, Jingwei; Wang, Yizhe; Zhang, Yangkun; Yu, Hua; Zheng, Wei; Li, Jiawei; Li, Xiuzhen; Huang, Zhiheng; Wang, Boxin; Chen, Yutong; Wang, Shuopei; Li, Na; Yang, Wei; Shi, Dongxia; Pan, Jinbo; Gao, Hongjun; Du, Luojun; Zhang, Guangyu

埃厚极限二维金属

封装稳定，导电增强

通过MoS₂单层完全封装稳定二维金属，获得非键合界面并展现二维极限下的新物性与高导电特性。

Zhao, Jiaojiao · 李璐 · Li, Peixuan · Dai, Liyan · Dong, Jingwei · Wang, Yizhe · Zhang, Yangkun · 玉华 · Zheng, Wei · 黎嘉威 · 李秀珍 · Huang, Zhiheng · Wang, Boxin · Chen, Yutong · Wang, Shuopei · 李娜 · 杨蔚 · 时东霞 · Pan, Jinbo · 高鸿钧 · Du, Luojun · 张广宇

Nature 2025

技术优势

实现多种二维金属（Bi、Ga、In、Sn、Pb）至埃厚度极限

单层Bi电导率显著提升

室温下非线性霍尔电导率大幅增强