厚度可调 高开关比
用单温区法在受限空间内可控生长高质量MoS₂，厚度从单层到少层可调，且可直接在水中转移而不损伤衬底。
刘冰 · Dong, Meiqiu · Lin, Yan · Chaohui, Liu · Peng, Xiao · Siguang, Ma
Applied Surface Science 2025
厚度从单层到双层及少层可调
背栅FET器件开关比最高达2.5 × 10⁷
脉冲栅压下滞后可忽略