黑磷纳米带

近原子级光滑边缘

一种边缘沿锯齿方向排列、宽度可低至1.5 nm的高质量窄黑磷纳米带，具有明确的边缘手性，适用于高性能电子与光电子器件。

Zhang, Teng · Chen, Youxin · He, Zhiyan · Liu, Qinran · Chen, Le · 王楷 · 陈文哲 · Wang, Kunchan · Xiaowo, Ye · Zhang, Yuyang · Zhang, Yanming · Liao, Chenghao · He, Yuan · Gao, Wenpei · 张天宇 · Hu, Bei · Jiang, Shenghao · Shi, Fangyuan · 李心月 · 陈长鑫

Nature Materials 2025

具体参数

产率

{'zh': '95', 'en': '95'} %

最小宽度

{'zh': '1.5', 'en': '1.5'} nm

带隙

{'zh': '0.64', 'en': '0.64'} eV

开关比

{'zh': '1.7×10^6', 'en': '1.7×10^6'}

迁移率

{'zh': '1,506', 'en': '1,506'} cm² V⁻¹ s⁻¹

开态沟道电导

{'zh': '1,845', 'en': '1,845'} µS

技术优势

边缘近原子级光滑

边缘沿锯齿方向对齐，减少散射，有利于载流子传输。

产率高达95%

声化学剥离法高效，适合规模化制备。

带隙可调至0.64 eV

13 nm宽纳米带的带隙为0.64 eV，适用于窄带隙电子器件。

应用场景

• 窄带隙半导体器件：替代传统窄带隙材料，提供带隙可调的纳米带。
• 后硅逻辑器件：高开关比和迁移率满足后硅时代逻辑器件的需求。
• 红外光探测器：窄带隙和高材料质量使红外探测性能优异。