范德华外延量子点

晶格失配无忧

在范德华表面直接外延生长的高质量量子点，摆脱晶格匹配限制，界面电荷转移高效，拓宽近红外光电响应。

Xin, Kaiyao · Li, Lian · Zhou, Ziqi · Chen, Zhang · 杨珏晗 · 邓惠雄 · 张锦川 · 刘俊岐 · 刘开辉 · 刘灿 · 刘峰奇 · 魏钟鸣 · 翟慎强

Nature Synthesis 2024

技术优势

不受晶格失配限制

范德华外延无需考虑衬底与量子点的晶格匹配，因而可制备多种III–V和IV–VI量子点。

光响应更宽

InSb QDs/MoS₂ 异质结在近红外区光响应拓宽，得益于范德华界面高效电荷转移通道。

本征特性保留

范德华界面弱相互作用使量子点保持更本征的量子限域和分立能级。

应用场景

• 近红外光电探测器：利用拓宽的近红外光响应，提升探测器在近红外波段的灵敏度。
• 量子光源：本征量子点分立能级利于产生高质量单光子或纠缠光子对。
• 红外发光器件：高效电荷转移通道可提高红外发光器件注入效率。