SnBi₂Te₄ 超宽带探测器

室温可见至太赫兹

利用拓扑绝缘体插层材料实现的室温超宽带光电探测，覆盖可见光至太赫兹波段，兼具高灵敏与快速响应。

Zhang, Qiyuan · 周卫 · Xiangzhou, Tian · Jiang, Lin · 高艳卿 · 褚君浩 · Huang, Zhingming

Advanced Materials 2026

参数信息

响应度（980 nm）

19.4 A·W⁻¹

响应度（635 nm）

13.9 A·W⁻¹

噪声等效功率

8.5 pW·Hz⁻¹/²

响应时间（可见-红外）

70 µs

技术优势

带宽覆盖太赫兹

通过常规光电效应与电磁诱导阱效应的协同机制，实现可见光至太赫兹波段的宽谱探测。

室温即可工作

无需低温冷却，探测器在室温下实现对太赫兹波段的高分辨成像。

应用场景

• 太赫兹成像：用于高分辨太赫兹透射成像，无需低温冷却。
• 光电探测：覆盖可见至太赫兹的超宽带探测，替代多个窄带探测器。
• 光谱分析：宽光谱响应可支持太赫兹光谱分析，扩展检测范围。