GaN基HEMT失效管

关态击穿于2181 V

在关态漏极电压应力下，级联GaN基HEMT在漏电压2181 V时发生灾变性失效，击穿点位于GaN基HEMT的栅极与漏极之间。通过SEM、EDX和APT分析，发现击穿后原子分布变得不均匀，这可能与GaN和AlxGa1-xN层中位错增加有关，位错捕获电子导致局部电场增强，最终引发击穿。这些结果为提高级联GaN基HEMT的击穿电压提供了新的见解。

Hanlin, Liu · Pan, Chengbing · Hui, Li · Yibo, Ning · Huiying, Li · Xinyuan, Zheng · 赵丽霞

Journal of Alloys and Compounds 2025

参数信息

漏电压

2181 V

技术优势

击穿点位于GaN基HEMT的栅极与漏极之间

击穿后原子分布变得不均匀，可能与GaN和AlxGa1-xN层中位错增加有关

位错捕获电子导致局部电场增强，最终引发击穿