InGaN多量子阱光电二极管

零偏压高速光探测

预应变超晶格夹层缓解多量子阱双轴应变，增强载流子逃逸，提升光探测响应度。

Tsai, Chialung · Sharma, Mukta · Hsieh, Yuli · Manjunatha, S. N. · Das, Atanu · Cheng-Kai, Xu · Hao-Tse, Fu · Liann-Be, Chang · Ko, Sun Chien

Materials Science in Semiconductor Processing 2024

参数信息

3-dB截止频率
76.1 MHz
数据速率
250 Mbit/s
误码率
8.8×10⁻⁸
数据速率（数字电视）
270 Mbit/s
耗尽偏压
-5 V

技术优势

零偏压就能高速探测

预应变超晶格夹层缓解了In₀.₁₆Ga₀.₈₄N/GaN多量子阱的双轴应变，减小极化场，增强载流子逃逸，因此即使在零偏压下也能实现76.1 MHz的3-dB带宽。

应变松弛，响应度提升

预应变超晶格夹层缓解双轴应变，减小极化场，改善载流子输运，提高了光电二极管的响应度。

传输数字电视信号

该光电二极管与激光二极管配合，演示了约270 Mbit/s的实时数字电视信号传输，可用于光无线通信。

应用场景