自支撑二维Bi2O2Se半导体

压电系数超13 pm/V

自支撑结构带来显著面外机电耦合，压电系数远超平面结构和大多数二维材料。

Yafang, Li · Lin, Wang · Yu, Ouyang · Dexiang, Li · Yuting, Yan · Kai, Dai · Shang, Liyan · Zhang, Jinzhong · Zhu, Liangqing · Li, Yawei · Hu, Zhigao

Materials Today 2024

具体参数

压电系数

约13.1 pm/V

技术优势

光电流增强约10^4（无栅压）

突触权重变化数千次