p型氮极性GaN纳米带

7416.7 A/W 高响应度

p型氮极性GaN纳米带紫外探测器凭借大比表面积和强内建电场，实现高光响应度和光电流，为高性能GaN光电器件提供新路径。

Shishi, Liu · Wang, Qiao · Yicheng, Xie · Yang, Yuqing · Hui, Wang · Dong, Jianqi · He, Chenguang · He, Longfei · 陈志涛 · 李述体 · Zhang, Kang · 王幸福

Applied Surface Science 2023

参数信息

光响应度

7416.7 A/W

光电流

311 μA

技术优势

响应度极高

p型氮极性GaN纳米带探测器响应度达7416.7 A/W，光电流311 μA，这归因于强内建电场促进光生载流子分离。

自支撑易集成

通过电化学剥离制备的GaN纳米带无需传统衬底，可直接转移到SiO2/Si等目标基底上，简化器件集成工艺。

应用场景

• 紫外光电探测器：提供高响应度、低暗电流探测单元，提升弱紫外信号检测能力。
• 光电传感：利用自支撑纳米带直接构建光传感器件，简化异质集成。
• 生化传感：高比表面积纳米带可功能化后用于痕量生化分子检测的信号转换。
• 光学与光子学：氮极性GaN纳米带为研究极化增强光与物质相互作用提供平台。