p型高迁移率
一种可形成同质结的p型透明导电薄膜，区别于传统n型SnO2，为全透明电子器件提供空穴传输新选项。
Ruibo, Xiao · Jian, Cheng · 卢振亚 · Sun, Qian · Wang, Xin · 符小艺 · 高俊宁
Physica Scripta 2024
300 °C退火后，18.2 at% In掺杂的SnO₂薄膜在空气和N₂中均呈p型导电，省去异质结所需的另一材料。
N₂气氛退火使迁移率达到162.7 cm²·V⁻¹·s⁻¹，这是p型SnO₂的有利空穴传输性能。
N₂退火后电阻率降至0.57 Ω·cm，适合作为透明电极或空穴传输层。
费米能级深居带隙内，与浅费米能级的SnO₂直接形成同质结，避免晶格失配。