空间生长InSe晶体

缺陷减少性能跃升

中国空间站生长的InSe晶体，本征缺陷减少，晶格扩展，显著提升了场效应晶体管的电学与光电性能，表现出比地面晶体更优异的输运特性。

王振华 · 靳敏 · 宋克鹏 · 张征 · 林思琪 · Ji, Hao · Sun, Mingyuan · 王帅 · 陈静 · 刘宏 · 张余 · 刘学超 · 韩琳

Advanced Materials 2025

参数信息

开态电流

6.0 µA µm⁻¹

比探测率

1.38 × 10¹² Jones

技术优势

开关比 10⁸

响应度 5316 A W⁻¹