400 mA cm⁻² 下低过电位
通过钒掺杂和异质结构精细调控d带中心,同时优化HER和OER中间体吸附,实现大电流密度下超越Pt/C和RuO₂的双功能性能。
Wang, Guimin · 王佳琪 · 闫海静 · 田春贵 · 焦艳清
Journal of Colloid and Interface Science 2025
在400 mA cm⁻²下,HER过电位为193 mV,优于Pt/C的306 mV;OER过电位为460 mV,优于RuO₂的512 mV,可直接替代贵金属催化剂用于工业级电流密度。
同一催化剂可同时催化HER和OER,组装的全解水电解槽仅需1.504 V@10 mA cm⁻²,避免使用两种不同催化剂带来的界面和匹配问题。
V掺杂和异质结构使Mo的d带中心上移增强H₂O吸附;Ni的d带中心先上移后微降,促进O*向OOH*转化,从而同时优化HER和OER活性,为理性设计提供指导。