表面活化键合SiC均质界面

近零热阻

通过耦合扩展态和局域态声子桥,该界面在非晶层减薄至零时热边界阻值趋近于零,为高功率电子器件的热管理提供了一种低热阻键合方案。

Zhao, Xinlong · Qu, Yongfeng · Deng, Ningkang · Jin, Yuan · Liang, Du · 胡文博 · Hongxing, Wang

Applied Surface Science 2024

参数信息

界面非晶层厚度
约9 nm
TBReff
4.78 m²K/GW
界面热边界阻值
约0.50 m²K/GW
修饰
30 %