柔性砷化镓纳米线可饱和吸收体

宽带光调制

将砷化镓纳米线单片集成在柔性聚酰亚胺衬底上，为1.0 µm和1.5 µm波段提供可饱和吸收，避免了将纳米线转移到光纤端面的繁琐过程。

赵一帆 · 杨合 · Khayrudinov, Vladislav · Lipsanen, H. · Su, Xinyang · 祁媚 · 陆宝乐 · 宋凝芳

Micromachines 2023

参数信息

最小脉冲宽度（1.0 µm）
1.531 µs
最小脉冲宽度（1.5 µm）
6.232 µs

技术优势

免转移

通过MOVPE直接在柔性PI衬底上生长GaAs纳米线，形成单片集成结构，无需将纳米线转移到光纤端面，简化了器件制作流程。

宽带工作

同一器件在1.0 µm和1.5 µm两个重要波段均实现光脉冲产生，显示出宽带可饱和吸收能力，适用于多种激光系统。

柔性基底

使用聚酰亚胺塑料作为衬底，赋予器件可弯曲特性，为柔性光电子集成提供了新可能。

应用场景