3C-SiC飞秒激光响应

中长波长更易激发

在中等和长波长飞秒激光下，3C-SiC更容易被驱动到高密度非平衡电子态，为后续表面改性提供有利的电子前驱条件。

Xue, Guangjie · 冯杰才 · 徐杰 · 杨立军 · Lijun, Jia · 袁林 · 单德彬 · 郭斌

Surfaces and Interfaces 2026

参数信息

激发电子密度（400/1030 nm）

10^21 cm^-3

激发电子密度（13.5 nm）

10^21 cm^-3

技术优势

近红外激光也能激发

400 nm和1030 nm脉冲在1×10^13 W/cm²时即可将激发电子密度驱动至~10^21 cm⁻³，因为多光子/隧穿激发效率高，无需极紫外波长。

波长决定激发通道

13.5 nm激发由直接高能带间跃迁主导，电流演化平滑；400 nm和1030 nm在高强度下出现强电流调制和光谱展宽，表明由弱场向强场非线性响应转变。

应用场景

• 飞秒激光加工：选择合适波长即可高效激发电子态，无需依赖极紫外光源。
• 宽带隙半导体：揭示强场激发下宽带隙材料的载流子动力学和能量沉积机制。
• 激光微纳制造：为通过激光参数调控材料表面改性和微纳加工提供电子前驱条件。