抗热降解保护结构
提出含InGaN或GaN牺牲层的保护结构，有效抑制铟原子迁移引起的量子阱热降解，提升发光均匀性与激光性能。
Wang, Yachen · 梁锋 · 杨静 · 陈平 · 刘宗顺 · 赵德刚
Crystal Growth & Design 2024
保护结构阻挡铟原子扩散，避免量子阱分解和界面展宽。
抑制铟聚集，减少深局域态非辐射复合中心，提高发光均匀性。
保护结构在热退火过程中保持量子阱完整性，减少热降解。