碗状结构促进扩散
通过低温热解与碱蚀刻活化，成功将高含量吡咯氮（4.6 at.%）与氧（15.9 at.%）保留在碗状微孔碳中，实现高赝电容与优异的扩散动力学。
Wang, Junyan · Xinta, Li · 郭万春 · 田克松 · Jiamin, Zhang · Bosen, Zhang · 李雪爱 · 王海艳
Journal of Materials Science and Technology 2023
低温热处理策略避免了高温导致的杂原子损失和构型转变，吡咯氮达 4.6 at.%，氧达 15.9 at.%，可提供赝电容。
碗状结构通过 KOH 刻蚀去除不稳定微区形成，极大促进电解液离子扩散。
高含量氮/氧物种直接贡献赝电容，使材料在 1 A g⁻¹ 下比电容达到 486.4 F g⁻¹。