Mn掺杂MoS₂/MXene异质结

高1T相稳定高容量

通过锰掺杂与MXene复合稳定1T相并搭建电子桥，显著提升锌离子嵌入动力学与循环稳定性。

Yang, Wenjing · Lianshan, Mou · Xiao, Baoquan · 陈杰 · 王迪 · 彭尚龙 · Huang, Juanjuan

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

具体参数

比容量

{'zh': '191.7', 'en': '191.7'} mAh g⁻¹

1T相含量

{'zh': '82.9', 'en': '82.9'} %

容量保持率

{'zh': '80.3', 'en': '80.3'} %

技术优势

稳固高活性1T相

Mn²⁺掺杂与MXene复合维持了1T-MoS₂纳米片的亚稳结构，使1T相含量提高到82.9%，解决了其在充放电中向2H相转变的问题。

电子传导路径更通畅

MoS₂层间的S-Mn-S共价键与异质界面上的Ti-O-Mo键形成“电子桥”，促进电子与电荷转移，从而降低锌离子嵌入的活化能。

储锌容量更高

三维互连网络结构结合层间距扩展，使Mn-MoS₂/MXene在0.1 A g⁻¹下比容量达到191.7 mAh g⁻¹，优于未掺杂和纯MoS₂。

应用场景

• 水系锌离子电池：作为高容量、长寿命的阴极材料，提升水系锌电能量密度。
• MXene基复合材料：利用MXene构建导电网络并稳固活性相，改善电极结构。
• 二维异质结构：二维异质界面提供电子桥，加速电荷转移。