热导率趋近理论值
通过两段热处理消除晶界对电子和声子的阻碍，使热导率大幅提升，为电子封装散热材料提供了新的设计路径。
Chao, Ding · 马睿 · Ye, Changqing · 李树奎 · 卢周广 · Changyang, Yu · 余鹏 · 杨卫明 · Ye, Shulong
Journal of Materials Research and Technology 2024
热导率达到约180 W·m⁻¹·K⁻¹，接近理论极限193 W·m⁻¹·K⁻¹，减少晶界对电子和声子的散射。
550 °C下通过Ostwald熟化消除共晶Si，减少声子散射中心，提升热输运效率。
850 °C处理形成约1 mm的Al晶粒，减少晶界面积，降低电子热阻。