硫掺杂硅光电探测器

室温响应至2 µm

通过离子注入形成深能级杂质带,突破硅的本征带隙限制,将探测范围扩展到短波红外。

Xiao, Yunlong · Deng, Ke · Zhang, Kun · Xiangbao, Xu · Li Q. · 张涛 · Guo, Jiaxiang · Hangyu, Lu · 王鹏 · Hu W.

Advanced Functional Materials 2024

参数信息

在室温下
1310 nm
在室温下
1310 nm
响应度
107.3 mA W⁻¹
外量子效率
10.2 %