MgZnO外延薄膜

带隙3.29–3.91 eV可调

一种带隙可调的MgZnO薄膜，可通过改变生长温度在3.29–3.91 eV范围内调控，适用于多种光电器件。

Liu, Jiamin · Feng, Zhe · 万玲玉 · Zhi-Ren, Qiu · Wuu, Dongsing · 张传维 · Jeffrey, Yiin · Lin, Hao Hsiung · Klein, Benjamin D.B. · Ferguson, Ian T. · 刘世元

Nanomaterials 2024

参数信息

带隙范围

3.29–3.91 eV

理论带隙

3.347 eV

技术优势

带隙可连续调

通过改变生长温度，带隙在3.29–3.91 eV范围内单调变化，覆盖紫外到深紫外波段，无需更换材料体系。

表面Mg可富集

升高衬底温度可提高表面Mg含量，有利于调节表面能带和功函数，改善界面特性。

理论实验吻合

第一性原理计算的带隙与椭偏测量结果一致，表明测量方法和材料模型可靠，可用于指导后续设计。

应用场景

• 紫外光电探测器：带隙覆盖3.29–3.91 eV，可制备紫外至深紫外探测器，截止波长可调。
• 深紫外发光器件：带隙达3.91 eV对应深紫外发光，可通过温度调节发射波长。
• 透明导电薄膜：宽带隙保证可见光透明，表面Mg含量可调以优化功函数。