SiC上应变V2O3薄膜

室温电阻骤变

在半导体衬底上应变调控实现室温金属-绝缘体转变，为莫特器件提供理想平台。

Zhang, G. D. · 胡令 · Wang, Shufang Fangi · 魏仁怀 · Zhang R.R. · 宋文海 · 朱雪斌 · 孙玉平

Physical Review Materials 2024

参数信息

change R R

107500 %

技术优势

在 4H-SiC 衬底上外延生长高质量 V2O3 薄膜

通过改变应变诱导顺磁金属-顺磁绝缘体转变

应变调控电学性质通过增减 a1g 轨道占据实现