Gd掺杂In2O3纳米纤维

低压驱动高开关比

采用静电燃烧纺丝法制备的钆掺杂氧化铟纳米纤维，实现了接近理想值的阈值电压和优异的偏压稳定性，可用于低成本高性能薄膜晶体管。

Bo, Deng · Haoxuan, Xu · Rui, Wang · 肖爽 · Xue, Bin · 张新安

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

具体参数

阈值电压

{'zh': '0.6', 'en': '0.6'} V

载流子迁移率

{'zh': '2.6', 'en': '2.6'} cm² V⁻¹ s⁻¹

最佳掺杂浓度

{'zh': '7', 'en': '7'} mol%

技术优势

阈值电压接近理想

通过Gd掺杂和PVA辅助Al2O3栅绝缘层，将阈值电压从较大的负值调整为0.6 V，有利于低电压操作。

退火温度更低

静电燃烧纺丝策略可有效降低退火温度，从而降低生产成本，适合规模化制备。

偏压稳定性好

正偏压应力测试证实优化器件具有出色的操作可靠性，适合长时间工作的电子应用。

应用场景

• 薄膜晶体管：用作低功耗、高开关比的沟道层材料。
• 柔性电子：纳米纤维网络可弯曲，适合柔性基底上的晶体管。
• 传感器阵列：高开关比和稳定性利于构建可靠的传感器阵列。
• 逻辑电路：接近理想的阈值电压使逻辑电路驱动更简单。
• 显示背板：低退火温度与高性能可兼容显示背板制造工艺。