CoSe/WSe₂异质结

莫尔超晶格清晰可控

通过两步气相沉积在0.79 nm厚WSe₂上生长出1.7 nm超薄非层状CoSe，形成周期约3.96 nm的莫尔超晶格，并用作接触电极提升器件性能。

Jianhong, Zhang · Junjie, Yan · Ao, Zhikang · 李巍 · 王纬 · Lü, Yi'nong · Ma, Huifang

Applied Surface Science 2024

具体参数

厚度

1.7 nm

厚度

0.79 nm

莫尔周期

~3.96 nm

技术优势

CoSe接触器件开态电流和迁移率高于Cr/Au接触器件