TCNQ介导银迁移忆阻器

低电压多态可调

将TCNQ嵌入聚合物骨架，通过分子配位引导银导电细丝形成，实现忆阻行为可控和多功能集成。

Zhang, Tao · Wang, Laiyuan · 邓伟文 · Zhu, Yunfeng · Qian, Haowen · Zhou, Jia · Chen, Ye · Li, Jiayu · Li, Wen · 黄丽亚 · 宋春元 · 仪明东 · Huang Wei

Advanced Materials 2023

技术优势

低工作电压

TCNQ的多配位基团与银离子配位，形成稳定的导电细丝，降低器件操作电压。

多态可调

调节TCNQ分布可控制银导电细丝，实现忆阻行为的多态调节，适用于多功能器件。

应用场景

• 柔性忆阻器：在柔性基底上制备聚合物-TCNQ薄膜，实现柔性可穿戴存储。
• 神经形态计算：利用多态可调特性模拟突触可塑性，用于神经形态计算。
• 柔性电子器件：作为柔性电子器件中的存储单元，集成到可弯曲电路中。
• 存算一体：利用忆阻器阵列实现存算一体，减少数据搬运能耗。