tph-CN₂ 二维单层

应变可调泊松比

一种由4+5+6碳氮环构成的二维单层，在单轴拉伸下泊松比连续下降并转为负值，为纳米力学器件提供了新的材料平台。

Yaqi, She · Yutong, Zou · Liuxu, Zhao · 姜雨虹 · Kou, Chunlei · 张淼 · Tian, Yuanye

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

具体参数

带隙

{'zh': '5.23', 'en': '5.23'} eV

技术优势

泊松比可调为负

通过施加单轴应变可连续降低泊松比，在6%应变时转为负值，为设计拉胀纳米力学器件提供了灵活性。

带隙宽且可调

本征带隙高达5.23 eV，且可通过应变工程进行有效调节，适用于深紫外光电子器件。

多维度稳定性好

第一性原理计算证实其力学、热力学、动力学和能量方面均稳定，为其实际应用奠定基础。

应用场景

• 低维纳米材料：作为新型二维材料平台，探索应变调控的电子和力学性质。
• 纳米力学器件：利用其负泊松比特性制造拉胀纳米器件，实现反常力学响应。
• 膨胀材料：提供一种应变诱导拉胀的二维材料实例，丰富拉胀材料家族。
• 宽带隙半导体：带隙达5.23 eV，适用于深紫外光电器件和高压功率器件。