缺陷定向调控损伤
孔缺陷几何取向与空间排列主导损伤演化,临界缺陷尺寸达420 μm,尺寸与间距耦合效应加速失效。
Yuzhong, Wang · Guo, Wenhua · Yaru, Zhang · Ma, Kaiyue · Wenxian, Li · Ji, Qianyu · Han, Rui · Chenwei, Wang · Yihui, Zhang · 卢秉恒 · Yuzhong, Wang
Journal of Materials Science and Technology 2026
通过浸入边界法直接嵌入离位XCT数字孔洞几何,无需几何简化,实现内部复杂孔缺陷结构的精确表示。
深埋孤立LoF孔缺陷的临界尺寸阈值可达420 μm,为无损检测和验收标准提供依据。
当孔缺陷间距小于最大孔尺寸三倍时,小尺寸孔缺陷簇(约57 μm)诱导次级裂纹网络,裂纹扩展速率≥59 μm/%,比典型LoF孔缺陷更危险。
垂直载荷方向的H-LoF孔缺陷增加基体开裂倾向28%,而平行和垂直缺陷均对强度无显著削弱,甚至可能强化。