InGaN异质结纳米线光电阴极

斜入射下高量子效率

双层InGaN异质结纳米线阵列结构，通过内建电场提升有效量子效率，相比单一组分InGaN纳米线具有更好的实际性能。

Zhihao, Cao · 刘磊 · Tian, Jian · Zhangyang, Xingyue · Wang, Zhidong · 程宏昌 · Guo, Xin

Solar Energy 2024

参数信息

最大有效量子效率

40.8 %

技术优势

外部电场可显著帮助异质结纳米线在更长波长范围内保持较高实际性能