界面态密度显著降低
一种采用臭氧气体氧化工艺制备的隧穿氧化硅层，相比等离子体辅助氧化，其界面态密度显著降低，SiO₂占比更高，适用于n型TOPCon太阳能电池的高质量钝化接触。
Yang, Lei · Ou, Yali · Xiang, Lv · Lin, Na · 曾俞衡 · Hu, Zechen · 原帅 · 叶继春 · 余学功 · 杨德仁
Energy and Environmental Materials 2024
OGO 隧穿氧化层的界面态密度为 1.2 × 10¹²–3.6 × 10¹² cm⁻² eV⁻¹，显著低于 PANO 样品，有利于减少载流子复合，提升钝化效果。
XPS 显示 OGO 氧化层中 Si⁴⁺（即 SiO₂）占比高于 PANO，说明氧化更充分，从根源上抑制低价硅氧化物缺陷态。
该工艺为在线臭氧气体氧化，与现有光伏生产线兼容，无需离线处理，可降低制造成本并提高产能。