N掺杂SiC纳米粉

吸波与发光一体

一步合成的高氮掺杂非晶粉体，兼具宽频吸波和蓝绿光发射，突破纯相SiC性能局限。

王成 · Tiancheng, You · Yunfei, Zhang · Song, Ming · Huang, Zhaozhong · 夏维东

Journal of Alloys and Compounds 2023

具体参数

反射损耗

{'zh': '−56.2', 'en': '−56.2'} dB

N掺杂量

{'zh': '20', 'en': '20'} %

粉体粒径

{'zh': '30–200', 'en': '30–200'} nm

技术优势

吸波性能大幅提升

在 8.9 GHz 处反射损耗可达 −56.2 dB，匹配厚度仅 3.1 mm，掺杂量 12.1%。

一步合成无需后处理

在 Ar/N2 等离子体中热解六甲基二硅烷，一步得到 N 掺杂 SiC 纳米粉，省去复杂多步工艺。

兼具蓝绿光发射

由于缺陷态的存在，N 掺杂 SiC 纳米粉在蓝绿光区域表现出良好的光致发光性能。

应用场景

• 隐身吸波材料：作为吸波填料涂覆于装备表面，降低雷达散射截面。
• 电磁屏蔽：利用其高介电损耗吸收电磁波，减少电磁泄漏。
• 光电器件发光层：蓝绿光致发光使其可作荧光粉或发光层，发出可见光。