低功耗氧化物纳米纤维晶体管

一种通过调控铟锌氧纳米纤维中阳离子比例实现低功耗神经形态功能的晶体管器件。

Cong, Haofei · Chang, Yu · Zhou, Ruifu · Zhang, Wenxin · Guangxin, Sun · 徐沛龙 · Qin, Yuanbin · Ramakrishna, Seeram A. · 刘旭海 · 王凤云

Science China Materials 2023

参数信息

In Zn

3 O

技术优势

经验选材不再需要

首次系统调控InZnO纳米纤维的阳离子比例，明确In0.7Zn0.3O为最优组成。

功耗可以更低

In0.7Zn0.3O基器件具有最低的兴奋性突触后电流，有利于低功耗运行。

制备流程更简单

采用低成本静电纺丝结合简易纳米纤维转移工艺，无需复杂光刻。

应用场景

• 低功耗神经形态计算：利用低功耗突触器件构建神经网络硬件，降低系统能耗。
• 氧化物半导体器件：提供组成优化的InZnO纳米纤维，用于高性能氧化物晶体管。
• 柔性突触器件：纳米纤维可转移至柔性衬底，实现柔性突触功能。