高均匀性晶圆电镀结构

均匀性提升五倍

针对8英寸晶圆电镀，通过协同优化环形屏蔽、辅助阴极和多孔流场均流器，显著抑制终端效应并改善中心离子供给。

Hao, Luo · 何虎

Electrochimica Acta 2026

具体参数

镀层不均匀性

{'zh': '2.57', 'en': '2.57'} %

技术优势

均匀性提升近5倍

镀层不均匀性从12.48%降至2.57%，显著抑制终端效应并改善中心离子供给。

省去试错成本

全耦合多物理场模型可定量指导结构设计，替代高成本的试错优化。

应用场景

• 半导体封装镀铜：用优化后的电镀结构提升封装铜互连的均匀性，保障互连可靠性。
• 晶圆级电镀：在8英寸晶圆上实现更均匀的镀层，减少终端效应和中心离子供应不足。
• 电镀设备优化：采用协同优化的环形屏蔽、辅助阴极和多孔流场均流器，替代传统试错改机。