高温退火电阻仍低
在钛与重掺杂硅间插入超薄钼层，可阻止硅扩散并促进低阻C54相形成，使接触在高温退火后仍保持极低比接触电阻。
Xu, Chen · 许静 · Mao, Shujuan · Yanping, He · Jianfeng, Gao · Liu, Weibing · Sun, Xianglie · Wang, Guilei · 74093388 · 罗军
IEEE Electron Device Letters 2024
3 Å 钼层就能挡住硅继续扩散进金属层，750 °C 退火 30 分钟后比接触电阻仍为 10⁻⁸ Ω·cm² 量级。
钼的硅化物把 C54 相 TiSi₂ 的形成温度降低了 50–100 °C，让低电阻相更容易出现。
最薄的 3 Å 钼层即可明显降低比接触电阻，制备窗口宽，对工艺容差友好。